Ansys荣获 “联合研发4nm设计基础架构” 和 “联合研发3DFabric™设计解决方案” 两大奖项

主要亮点

• Ansys多物理场签核技术对于经典摩尔定律普及以及台积电突破性的2.5D/3D多芯片技术至关重要
• 凭借向台积电N4工艺技术提供晶圆代工厂认证的先进电源完整性与可靠性签核认证工具，Ansys荣获“联合研发4nm设计基础架构”奖项
• 凭借向台积电的3D芯片堆叠与高级封装技术综合系列——3DFabric™，提供经过晶圆代工厂认证的热、电源完整性和可靠性解决方案，Ansys荣获“联合研发3DFabric™设计解决方案”奖项

近日，Ansys 荣获两项台积电2021年OIP年度最佳合作伙伴奖，分别是“联合研发4nm设计基础架构”和“联合研发3DFabric™设计解决方案”奖项。年度最佳合作伙伴奖旨在表彰台积电开放创新平台®（OIP）生态系统合作伙伴在过去一年中对新一代设计支持所做出的杰出贡献。Ansys和其他OIP生态系统合作伙伴的共同努力有效推动了半导体行业的创新。台积电在其2021 OIP生态系统论坛上宣布了获奖者，这场盛会不仅将半导体设计生态系统合作伙伴和台积电客户齐聚一堂，而且还为探讨面向高性能计算、移动、汽车和物联网应用等最新技术和设计解决方案提供了一个绝佳平台。

Ansys可提供丰富的多物理场分析工具，有助于解决先进半导体制造行业所面临的日渐显著的问题。随着晶体管数量和复杂性的增加，以及超低电源电压导致安全裕量不断减少，压降和电迁移等传统的验收分析工作在3nm和N4技术中变得越来越挑战。Ansys与台积电就这些问题开展深入合作，Ansys RedHawk-SC™和Ansys Totem™不仅获得台积电最先进的3nm和N4工艺技术认证，同时也为Ansys斩获了 “联合研发4nm设计基础架构” 奖项。

台积电3DFabric技术可为业界提供具有更高集成密度的解决方案。为了实现3DFabric技术的优势，不仅需要更大容量的分析平台，而且还需要在设计流程中集成新的物理特性。凭借面向完整芯片-封装热分析的Ansys RedHawk-SC Electrothermal™研发工作，Ansys荣获了“联合研发3DFabric™设计解决方案”奖项。

采用ANSYS® REDHAWK-SC ELECTROTHERMAL™ 对一个2.5D封装进行热分析，显示了安装在基板层上的两个芯片的温度分布和机械翘曲情况

台积电设计基础架构管理事业部副总裁Suk Lee表示：“恭喜Ansys成为2021年台积电OIP年度最佳合作伙伴奖得主。我们双方持续合作和努力不仅让Ansys走在技术发展趋势的最前沿，而且让我们的客户能够充分利用台积电先进技术在功耗、性能和尺寸方面的大幅改进，从而加速其差异化产品的创新。”

Ansys副总裁兼电子与半导体事业部总经理John Lee指出：“在整个半导体行业，台积电是众多技术开发者中的佼佼者，与台积电的密切合作一直是我们签核技术产品获得成功的关键因素。得益于此次的密切合作，我们双方客户都能够在行业最具挑战性的先进单芯片和多芯片设计项目中信心十足地使用Ansys工具。”

OIP年度合作伙伴奖旨在表彰在设计、研发和技术实现方面不遗余力达到最高标准的合作伙伴公司，Ansys将继续与台积电合作支持新一代设计。近期，Norman Chang等人在今年的台积电OIP生态系统论坛上联合发表了一篇关于3DFabric设计热分析的论文：《高级3DIC系统的综合分层热解决方案》。

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